Ссылка на этот поиск: https://alib.top/findp.php?author=%E0%E3%E0%F5%E0%ED%FF%ED+&title=%EE%F1%ED%EE%E2%FB+%F2%F0%E0%ED%E7%E8%F1%F2%EE%F0%ED%EE%E9+%FD%EB%E5%EA%F2%F0%EE%ED%E8%EA%E8+&
Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники. М. Энергия, 1974г. 256с.илл. твердый переплет,, слегка увеличенный формат. (Продавец: BS - Nestor, Харьков.) Цена: 150 грн. Купить Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки. Рассматриваются принцип действия, ститаческие, высокочастотные, импульсные характеристики и физические параметры биполярных и униполярных транзисторов, приводятся их эквивалентные схемы, учитывающие специфику расчета различных электронных устройств. (Отм.ликв.библ). Cостояние: хорошее
Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники. М Энергия 1974г. 256 с. Палiтурка / переплет: Твердый. , Слегка увеличенный формат. (Продавец: BS - Landrat, Лубны.) Цена: 50 грн. Купить Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки. Рассматриваются принцип действия, ститаческие, высокочастотные, импульсные характеристики и физические параметры биполярных и униполярных транзисторов, приводятся их эквивалентные схемы, учитывающие специфику расчета различных электронных устройств. (Отм.ликв.библ). Cостояние: Хорошее. Штамп не сушествующей библиотеки.
Если ничего не найдено, укажите только автора или одно слово из названия. Примеры поиска
По ссылке в описании книги можно перейти на персональную
страницу продавца (BS). Рекомендуется просмотреть списки его книг.
Возможно, там есть ещё что-то интересное.
По ссылке на странице продавца можно заказать книгу
прямо на сайте